跟着集成电路产业发展干预“后摩尔时期”，集成电路芯片性能提高的难度和本钱越来越高，东谈主们伏击需要寻找新的本事决策。近日，中国科学院上海微系统与信息本事筹商所科研团队在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片领域得回冲破性发扬，胜利开垦出可批量制造的新式“光学硅”芯片。关系筹商效果8日在线发表于《当然》杂志。

图片开首：中国科学院上海微系统与信息本事筹商所

现时，以硅光本事和薄膜铌酸锂光子本事为代表的集成光电本事是移交集成电路芯片性能提高瓶颈问题的颠覆性本事。其中，铌酸锂有“光学硅”之称，频年间受到平凡热心，哈佛大学等国际筹商机构甚而建议了仿照“硅谷”形式来设立新一代“铌酸锂谷”的决策。

“与铌酸锂肖似，钽酸锂也不错被称为‘光学硅’， 咱们与联接者筹商讲明，单晶钽酸锂薄膜相同具有优异的电光诊疗特色，甚而在某些方面比铌酸锂更具上风。”论文共同通讯作家、中国科学院上海微系统所筹商员欧欣说，p2p理财更要紧的是，硅基钽酸锂异质晶圆的制备工艺与绝缘体上硅晶圆制备工艺愈加接近，因此钽酸锂薄膜可罢了低本钱和界限化制造，具有极高的诈欺价值。

这次，科研团队领受基于“全能离子刀”的异质集成本事，通过离子注入结合晶圆键合的法子，制备了高质地硅基钽酸锂单晶薄膜异质晶圆；同期，与联接团队谋划开垦了超低损耗钽酸锂光子器件微纳加工法子，胜利制备出钽酸锂光子芯片。

欧欣暗示，钽酸锂光子芯片展现出极低光学损耗、高效电光诊疗等特色，有望为冲破通讯领域速率、功耗、频率和带宽四大瓶颈问题提供处置决策，并在低温量子、光操办、光通讯等领域催生更正性本事。

记者 陆成宽

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